Настраиваем RAM в BIOS
Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.
Способ 1: Award BIOS
Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.
- Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del, Esc, F2 и так далее.
- Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter.
Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта. Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features»
Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features».
Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в AIDA64.
При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.
- Входим в BIOS, в главном меню нам нужен пункт «Advanced BIOS Features».
Покидаем BIOS и запускаем бенчмарк для проверки правильности наших действий. Делаем цикл несколько раз до достижения наилучшего результата.
Способ 3: UEFI BIOS
На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.
- Заходим в БИОС, нажав Delили F2. Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode», нажав F7.
На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker», находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.
Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto», но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.
Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control». Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу
Но делать это надо осознанно и осторожно
Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage», где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.
Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced». Там посещаем «North Bridge», страницу северного моста материнской платы.
Здесь нас интересует строка «Memory Configuration», на которую и нажимаем.
В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.
Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.
Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения
Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется
Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром – таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?
Как работает оперативная память
Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. На сайте мы уже писали про оперативную память и как она работает. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.
Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.
Тип памяти
Прежде всего, необходимо определиться с типом памяти. На момент написания этой статьи на рынке доминируют модули памяти DDR (double-data-rate) третьего поколения или DDR3. Память типа DDR3 имеет более высокие тактовые частоты (до 2400 мегагерц), пониженное примерно на 30-40% (по сравнению с DDR2) энергопотребление и соответственно меньшее тепловыделение.
Однако, до сих пор, можно встретить память стандарта DDR2 и морально устаревшую (а потому местами жутко дорогую) DDR1. Все эти три типа полностью несовместимы друг с другом как по электрическим параметрам (у DDR3 меньше напряжение), так и физическим (смотрите изображение).
Это сделано для того, чтобы даже если Вы ошиблись с выбором — Вы не смогли бы вставить несовместимую планку памяти (хотя некоторые очень старательны, а посему случается.. ээ.. бум! 
).
Примечание
Стоит упомянуть про новый тип памяти DDR4, отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Он поддерживает частоты от 2133 до 4266 МГц и в массовое производство поступит предположительно в середине 2012 года. Кроме того, не стоит путать оперативную память (упомянутый DDR) с видеопамятью (а именно GDDR). Последняя (вида GDDR 5) обладает высокими частотами, достигающими 5 Ггц, но используются пока только в видеокартах.
Базовая вводная по характеристикам и не только
Как правильно выбрать оперативную память, чтоб производительность ПК повысилась и он шустро обрабатывал те приложения/игры, о которых раньше и помыслить не мог? Думаю, этим вопросом задается громадное число пользователей нашей (и не только) необъятной страны.
И правильно делают, что задаются, ибо только на первый взгляд можно сказать, что тут все просто и понятно, однако есть куча тонкостей, о которых мы Вам сейчас и расскажем.
Итак, первое, что надо держать в голове (перед покупкой) — выбор «правильной» памяти является залогом успеха дальнейшего разгона Вашего железного друга и в какой-то степени позволяет избежать ненужных материальных вливаний на вновь вышедшую железяку.
Т.е. память (например, «оверклокерская»), позволяет поддерживать пользовательский ПК в «бодром» расположении духа на протяжении довольно продолжительного времени, за счет заложенного производителем разгонного потенциала.
Мы не зря говорили выше о том, что оперативную память и кэш использует, для обработки данных, процессор (а через материнскую плату он потребляет ресурсы оперативной памяти). Не зря потому, что выбрать отдельно оперативку от того же процессора или материнской платы, никак не получится (ибо они взаимосвязаны).
Описывая характеристики материнской платы, мы ссылаемся на процессор, рассматривая оперативную память, мы также принимаем во внимание характеристики вышеназванных элементов, т.к. они являются основной «думающей» частью компьютера
Оперативная взаимосвязь этих компонентов позволяют Вашему железному помощнику быстрее осуществлять необходимые операции.
Поэтому к выбору памяти надо подходить исходя из этих соображений взаимосвязи, а то получится, что Вы приобрели «крутую» память, а материнка её не поддерживает и тогда лежать ей родимой и ждать своего «звездного часа» :).
Чтобы узнать, какой процессор поддерживает Ваша материнская плата, а также какой модуль памяти необходим для неё, нужно:
- обратиться к сайту производителя платы
- найти, по буквенно-цифровой маркировке, свою модель (например, производитель Gigabyte GA-P55A-UD4P)
- изучить руководство по поддерживаемым процессорам и список рекомендованных модулей памяти (т.е. тех производителей и моделей, которые 100% совместимы с Вашей платой).
Чтобы снять все вопросы, приведу конкретный пример (не надо, не благодарите меня :-)).
ПримечаниеМаркировку (модель/производителя материнки), например можно найти через cредство диагностики DirectХ (вызывается комбинацией клавиш командной строки «Win+R» и вводом dxdiag, далее запоминаем строки — производитель и модель ПК).
Нажимаем на ссылки «Поддерживаемые процессоры» (1) и «Список рекомендованных модулей памяти» (2). Для памяти загружаем этот список (в формате pdf), нажав на соответствующую ссылку.
Определяемся с типом процессора (1) (допустим Core i5-760) и моделью памяти (2) (допустим Kingston KHX1600C9D3K2/4G).
Вот и всё, ничего сложного!
Теперь нам известно, что наша материнская плата и процессор не будут конфликтовать с этой памятью и при грамотном подходе к разгону из совокупности этих трех компонентов можно выжать заветные 10-15% прироста общей производительности компьютера и избежать, скажем, страшных и ужасных синих экранов смерти.
Теперь непосредственно перейдем к самим техническим параметрам.
Назначение таймингов
Латентность (задержки между отправкой и обработкой команд) оперативной памяти записываются производителем через дефис в специальную последовательность CL-RCD-RP-RAS. Подробнее в каждом значении разберемся ниже.
CAS Latency
Отображает время, необходимое для получения данных от центрального процессора, с последующей обработкой и передачей обратно. Описывается формулой «T = (CL / количество передач в секунду) * 2000».
RAS-CAS
Показатель RCD определяет скорость перемещения информации между строками и столбцами ячеек, доступных в модулях ОЗУ. Задержки определяют, в том числе, и переход от процессов чтения к записи и обратно.
RAS Precharge (RP или tRP)
Указывает время, необходимое для перехода к новой строке с предварительной выгрузкой информации из предыдущей. Часто показатель RP равен RCD (RAS-CAS).
Способ второй: AMI BIOS
Как можно понять, решать, какая оперативная память лучше, не стоит, ведь ее показатели можно легко изменить в настройках БИОС. Перейдем теперь к AMI BIOS и расскажем, как это сделать в нем.
- Войдя в CMOS, перейдите в меню «Advanced BIOS Features».
- В нем вам нужно отыскать строку «Advance DRAM Configuration» и нажать на ней Enter.
- Здесь находятся все те параметры, что были представлены в первом способе, то есть: подаваемое напряжение, тайминги и тактовая частота оперативной памяти.
По аналогии с Award BIOS, измените все параметры на нужные вам, сохраните их и перезапустите компьютер, чтобы войти в операционную систему.
Частота шины и пропускная способность
Основные параметры оперативки, которые характеризуют её производительность — это частота шины и скорость передачи данных.
Частота характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени, соответственно, чем она больше, тем больше данных можно передать. Частота шины и пропускная способность зависят прямо пропорционально друг от друга (например, память имеет 1333 Мгц шину, значит теоретически будет иметь пропускную способность 10600 Мб/сек, а на самом модуле будет написано DDR3 1333 (PC-10600)).
Частота обозначается в виде «DDR2(3)-xxxx» или «PC2(3)-yyyy». В первом случае «xxxx» обозначает эффективную частоту памяти, а во втором «yyyy» указывает на пиковую пропускную способность. Чтобы не запутаться, посмотрите таблицу (в ней приведены наиболее популярные стандарты: DDR (1), DDR2 (2), DDR3 (3)).
Настройка таймингов средствами BIOS
В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.
Пример окна настройки таймингов BIOS
Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.
Тестирование
Первый на очереди стандарт DDR3-1333 дал нам итоговые значения таймингов 6-7-6-18-1Т. Превосходный результат, при таких агрессивных таймингах сможет работать далеко не каждая память.
DDR3-1600 позволяет получить практически те же значения таймингов, что и у Apacer DDR3-2133 при частоте DDR3-1333, протестированных ранее.
При частоте DDR3-1866 для сохранения стабильности KINGMAX Nano Gaming RAM потребовалось еще немного увеличить задержки, до значений 8-9-8-22-1Т. Однако и этот результат явно лучше, чем у предшествующего образца от Apacer.
Режим DDR3-2133 заставляет поднять тайминги до 9-10-9-24-1T. На таких значениях работают большинство обычных планок DDR3-1333, встречающихся в продаже, в то время как KINGMAX Nano Gaming RAM на этих же таймингах отлично функционирует при частоте 2133MHz.
Последним тестируемым режимом должен быть DDR3-2400, но звезды видимо не сошлись. Система наотрез оказывалась запускаться на такой частоте при любых значениях таймингов, в том числе и значительно более высоких, чем заявлено производителем. Такого подвоха стоило ожидать от материнской платы среднего ценового диапазона, в том числе и от Asus Sabertooth 990FX R2.0. Тестовая материнская плата хоть и поддерживала данный режим работы с официально заявленными модулями памяти, перечисленными в документации, но с KINGMAX Nano Gaming RAM работать на такой частоте отказалась.Дабы исправить ситуацию, было решено найти максимальную частоту, на которой система оставалась бы стабильна, а следом и минимальные тайминги, при которых работа системы была бы непоколебима. Результат — частота DDR3-2310 и тайминги 10-11-10-27-1Т.На взгляд редакции это даже лучше, чем заявленные производителем DDR3-2400 при таймингах 10-11-11-30-2Т.
Внимательный читатель наверняка заметит особенность протестированных KINGMAX Nano Gaming RAM: память не очень любит уменьшение параметра RAS# to CAS# Delay, но при этом позволяет выставлять другие более агрессивные тайминги, в том числе оставаясь полностью работоспособной на частоте DDR3-2310 при значении Command Rate 1Т.
Суть таймингов
Данные параметры показывают, сколько времени требуется оперативке для выполнения тех или иных операций со столбцами и строками, чтобы записать информацию в ячейку или прочитать из нее. Тайминги измеряются в тактах системной шины. Как вы понимаете, чем меньше эти значения, тем лучше.
Если вы рассматривали планку, то должны были заметить обозначения типа DDR3 1600 МГц 9-9-9-24. Последние указанные через дефис цифры показывают количество тактовых импульсов для 4-х таймингов. Самый важный из них — , поэтому может быть прописан на этикетке только он. Однако мы разберем поочередно все, чтобы вы понимали, на что они влияют.
CAS Latency
Первые 3 буквы расшифровываются как Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки). Это тот параметр, который указывается в начале. Он показывает тактовую задержку, требуемую модулю для выбора нужного столбца в строке памяти, чтобы прочитать определенную информацию.
Попробую упростить свое объяснение: CL — это время между получением команды на чтение и ее выполнением. Запрос на данную операцию поступает к ОЗУ от процессора, а к нему, в свою очередь, от вас.
Вот поэтому данный параметр и является самым важным — он показывает скорость работы оперативки.
RAS-CAS
С этими двумя аббревиатурами вы уже встречались, когда я описывать принцип действия модуля памяти. Сокращенно этот тайминг называется tRCD. Он показывает количество тактов от снятия импульса RAS (выбором нужной строки) к подаче сигнала CAS (нахождением столбца в строке). Иными словами, это отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды «Read» (чтение) или «Write» (запись).
RAS Precharge
Данный тайминг рассказывает о количестве тактов между сигналом на предварительную зарядку одной строки данных и получением доступа к следующей. Проще говоря, он показывает, сколько времени проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой (от команды «Precharge» до «Active»).
Row Active
Также вы можете встретить такое название как tRAS (time of Active to Precharge Delay). Этот параметр определяет задержку, в течение которой активна одна строка.
Одноранговая или двухранговая память для Ryzen
Что такое ранги памяти
Давайте сначала разберемся чем отличается одноранговая память от двухранговой. Для того, чтобы понять смысл понятия рангов памяти, надо немного рассказать о стандарте оперативной памяти DDR SDRAM и его особенностях. Он пришёл на замену памяти SDRAM. В отличие от предшественника, новый стандарт позволил передавать информацию 2 раза за такт. Ширина шины памяти обычно составляет 64 бит (в отдельных случаях 72 бит при наличии коррекции ошибок). Ранги позволяют на одну физическую шину подключить 2, 4 и более банков памяти, кратно её разрядности. Благодаря этому на 1 физический канал приходятся 1, 2, 4 или более логических каналов на модуле памяти. Количество этих логических каналов на модуле и называется рангами памяти.
В идеальной ситуации такая организация модуля не должна приносить никакого выигрыша в производительности, но, благодаря некоторому сокращению задержек при передаче данных, зачастую получается небольшой выигрыш в производительности (с некоторыми особенностями). Именно вопрос улучшения производительности мы и попытаемся изучить в случае с разным количеством рангов памяти.
Тестовая платформа
Для тестового стенда использовались такие конфигурации:
Процессор: Ryzen 7 1700.
Материнские платы:
- MSI X370 XPOWER GAMING TITANIUM with UEFI 1.26;
- GIGABYTE GA-AX370-Gaming 5 with UEFI F5d;
- ASUS ROG Crosshair VI Hero with UEFI 1001.
Оперативная память:
- Corsair Vengeance LPX 64GB (4x16GB) DDR4 3600MHz C18 — двухранговая память;
- Corsair Vengeance LPX 32GB (4x8GB) DDR4 4000MHz C19 — одноранговая память.
Какую частоту выбрать?
Как уже было сказано выше, необходимо отталкиваться от возможностей, которые предоставляет Ваша система. Рекомендуем, чтобы частота совпадала с частотой, поддерживаемой материнской платой/процессором.
Например, Вы подключили модуль DDR3-1800 в слот (разъем), поддерживающий максимально DDR3-1600, в результате модуль будет работать на частоте слота, т.е. 1600 МГц, не используя свой ресурс в полном объеме, при этом также вероятны сбои и ошибки в работе системы. Надо сказать, что сейчас самыми распространёнными и рекомендуемыми к покупке являются модули типа DDR3 с тактовой частотой 1333 и 1600 МГц.
Для комплексной оценки возможностей оперативки используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает частоту, на которой передаются данные, разрядность шины и количество каналов памяти (это довольно важный параметр быстродействия ОП).
Формула правильного разгона ОП
Определить значения, при которых работа компьютера будет наиболее стабильной, можно не только экспериментальным способом, но и математическим путем. Для вычисления коэффициента эффективности работы оперативной памяти достаточно поделить частоту, на которой работает ОЗУ, на значение первого тайминга.
Например, в вашем компьютере установлены модули ОЗУ с таймингами 7-7-7-20 и работающие на частоте 1333 МГц. Для их стабильной работы на частоте 1600 МГц требуется изменить тайминги на 9-9-9-24. Эффективность с настройками по умолчанию составляет 1333/7=190,4. После разгона этот показатель будет равен 1600/9=177,8. Следовательно, при таком раскладе увеличивать тактовую частоту не имеет смысла.
Где лучше всего купить оперативную память?
В первую очередь рекомендуем три магазина, примерно с равной степенью качества:
- JUST, — пожалуй, лучший выбор с точки зрения соотношения цена-качество SSD (и не только). Вполне внятные цены, хотя ассортимент не всегда идеален с точки зрения разнообразия. Ключевое преимущество, — гарантия, которая действительно позволяет в течении 14 дней поменять товар без всяких вопросов, а уж в случае гарантийных проблем магазин встанет на Вашу сторону и поможет решить любые проблемы. Автор сайта пользуется им уже лет 10 минимум (еще со времен, когда они были частью Ultra Electoronics), чего и Вам советует;
- OLDI, — один из старейших магазинов на рынке, как компания существует где-то порядка 20 лет. Приличный выбор, средние цены и один из самых удобных сайтов. В общем и целом приятно работать.
Выбор, традиционно, за Вами. Конечно, всякие там Яндекс.Маркет’ы никто не отменял, но из хороших магазинов я бы рекомендовал именно эти, а не какие-нибудь там МВидео и прочие крупные сети (которые зачастую не просто дороги, но ущербны в плане качества обслуживания, работы гарантийки и пр).
Какие тайминги лучше выбирать
Допустим, вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обоих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.
Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал другой почти на треть цикла.
Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться
При этом важно, чтобы в материнской плате была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ
Что лучше 1T или 2T?
Размышляя логически, можно прийти к выводу, что чем меньше задержка (время ожидания), тем больший объем данных можно обработать за одну и ту же единицу времени. То есть значение в 1T (такт) является наиболее оптимальным с точки зрения скорости работы памяти и компьютера в целом. Но вся загвоздка в том, что далеко не каждый модуль ОЗУ и контроллер памяти может работать стабильно с таким малым временем ожидания, как 1 такт. Возможны ошибки и потеря данных. Как следствие — нестабильная работа ПК, синие экраны смерти и так далее.
Для того, чтобы правильно принять решение об установке значения опции Command rate в BIOS, нужно изучить технические характеристики материнской платы и модулей памяти, установленные в каждом конкретном случае, на предмет поддержки работы в режиме задержки 1 такт.
На свой страх и риск можно попробовать установить значение 1T и посмотреть как будет работать компьютер. При появлении ошибок и сбоев DRAM Command rate нужно будет вернуть к значению 2T.
При значении в 2 такта память будет работать медленнее, стабильнее и с минимальным риском возникновения ошибок.
Также возможным значением для данной опции может быть AUTO. В этом случае BIOS сам установит оптимальное значение, сходя из параметров модуля памяти.
Значение AUTO позволяет компьютеру автоматически подобрать время задержки
Другие идентичные названия опции:
DRAM 1T/2T Command, SDRAM Command Rate.
DRAM Command Rate — это так называемый командный тайминг, функция задержки между этапами работы контроллера DRAM (микросхемы, которая управляет памятью). составляют отдельную настраиваемую группу опций BIOS. В этой статье мы попробуем разобраться, какое значение данной функции является оптимальным и почему.
Для наилучшего понимания смысла рассматриваемой опции необходимо проследить процесс чтения данных из памяти. Изначальный запрос на чтение информации, посылаемый операционной системой контроллеру памяти, не содержит в себе точных «координат», уникального физического адреса запрашиваемых данных. Система передает лишь условное обозначение, виртуальный адрес, с которым начинает работать контроллер памяти, преобразуя его в физический адрес. В то же самое время контроллер выполняет активацию банка памяти, содержащего необходимую системе информацию. Это происходит через присвоение сигнала этому банку с помощью команды Chip Select. Результатом конвертации или декодирования виртуального адреса является необходимый физический адрес данных; после его получения контроллер приступает к выполнению команд чтения.
То есть, проще говоря, вместо немедленной инициализации операции чтения контроллер задерживается для проведения конвертации адресов. Интервал тайминга прямо пропорционален объему обрабатываемой памяти и количеству ее банков. Соответственно, при увеличении «объема работ» контроллеру для проведения данной операции потребуется больше времени.
Тайминг BIOS DRAM Command Rate предоставляет возможность пользователю самостоятельно определить интервал вышеописанной задержки, выбрав между значениями 1Т или 2Т (такт).